要闻 长江存储将直接挑战232层NAND 并于2022年底量产 时间:2022-06-15 10:00 3D NAND200层堆栈以上赛局加速展开,继存储器大厂美光提出业界首家232层堆栈3DNAND Flash将于2022年底前率先量产,近日市场传长江存储将跳过原定192层技术,直接挑战232层NAND,并于2022年底量产。存储器相关业者指出,如此一来,长江存储可望赶上其他NAND大厂如三星电子等。 上一篇:早知道:南沙深化面向世界的粤港澳全面合作总 下一篇:港股异动 : 光大证券(06178)涨超7%领涨中资券商股